与传统的蓝宝石衬底GaN技术相比，硅衬底GaN技术在晶圆尺寸、生产成本、制程良率、IC工艺兼容度、衬底无损去除等方面具有优势，深圳市康普信息技术有限公司积极投入硅衬底InGaN红光外延技术开发。当下，传统InGaAlP红光Micro LED的光效和光衰是这一行业面临的首要瓶颈。虽然目前InGaN红光效率仍达不到产业应用要求，但随着产学研界广泛地进行开发投入，预计这一技术将持续得到提升。